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下出料CVD气相沉积/碳化炉

设备用途：主要用于CVD和CVI工艺制备C/C、C/SiC及SiC/SiC等高性能复合材料。

核心优势：下出料结构设计，极大地便利了大尺寸、重型碳材工件的装卸与连续生产，最高设计温度达 2100℃。

技术保障：采用等静压石墨电阻加热与低压大电流控制，配备西门子PLC及15寸触摸屏，支持全自动工艺编程与数据导出。

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产品简介 / Introduction

产品概述 / Overview

化学气相沉积（CVD）是一种通过前驱气体热分解生成反应产物，并沉积在基底形成薄膜或基体致密化的工艺。远航工业炉研发的下出料CVD/碳化炉，针对碳/碳（C/C）复合材料、碳化硅（SiC）涂层等领域设计，是实现高性能材料致密化的核心关键设备。

图：远航工业炉-下出料CVD气相沉积/碳化炉实操现场

行业应用 / Applications

✅ 民航飞机炭刹车盘制备
✅ 单晶硅生长炉用炭-炭热场
✅ 多晶硅铸锭炉用结构件
✅ 炭-炭高温结构零部件
✅ 炭-炭-碳化硅复合材料
✅ 碳碳导流筒/保温筒/埚托

技术规格表 / Technical Specs

加热方式	等静压石墨电阻加热（低压大电流方式）
设计/常用温度	最高温度 2100℃ / 长期常用 2000℃
温控精度	±0.1℃（日本岛电精密仪表控制）
极限真空度	≤ 5Pa（冷态空炉状态下）
恒压控制	100-7500Pa 范围全自动微正压恒定控制
控制系统	西门子PLC + 15寸台达触摸屏（带历史数据导出）
有效放料空间	根据客户工艺需求提供非标尺寸定制

系统特征 / System Features

1. 多级气路管理： 配备北京七星华创质量流量计，精确控制前驱体及保护气体流量。

2. 高安全性设计： 全面配备声光报警系统、PLC逻辑互锁及多重超温保护。

3. 定制化物流： 配置专用下出料进出料车，大幅提升生产效率并降低工人劳动强度。

4. 精密真空控制： 采用电阻+电容薄膜真空规管，实现全量程高精度真空测量与反馈。

💡 远航提示：CVD/CVI工艺复杂，反应室设计与气路配置需严谨。我们提供多种尺寸定制及技术扩展服务，欢迎拨打 15115399105 咨询。

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设备用途：主要用于CVD和CVI工艺制备C/C、C/SiC及SiC/SiC等高性能复合材料。核心优势：下出料结构设计，极大地便利了大尺寸、重型碳材工件的装卸与连续生产，最高设计温度达2100℃。技术保障：采用等静压石墨电阻加热与低压大电流控制，配备西门子PLC及15寸触摸屏，支持全自动工艺编程与数据导出。

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