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  • 卧式CVD气相沉积炉
大型卧式方形CVD气相沉积/高温炉

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD):在化学气相沉积中,通过将反应气体中的前驱物质(通常是有机化合物或金属有机化合物)引入反应室,并在高温下使其发生热分解或化学反应,生成反应产物,沉积到基底上形成薄膜。这种方法可以用于制备金属、合金、半导体和陶瓷,主要用于CVD和CVI工艺制备C/C、C/SIC及SIC/SIC复合材料制备等材料制备。

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产品简介 / Introduction

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一种通过将反应气体中的前体物质(通常是有机化合物或金属有机化合物)引入反应室,并在高温下使其发生热分解或化学反应,生成反应产物,沉积到基底上形成薄膜。这种方法可以用于制备金属、合金、半导体和陶瓷等材料的加热工业炉。






CVD气相沉积炉产品6




产品参数


1. 型号:YHGYL-CJL**/**-**(尺寸规格定制)

2. 加热方式:等静压石墨电阻加热

3. 电源控制:低直流电压,大电流方式

4. 设计功率200KW,实际生产功率不大于150KW

5. 电源:三相五线制,三相380V,频率50HZ

6. 设计温度:2100℃,长期常用温度 2000℃;

7. 冷却方式:自然冷却

8. 有效放料空间:客户订制

9. 升温速率:装料情况下1000℃以下平均升温速率5℃/min,1000-1800℃平均升温速率5℃/min,1800-2250℃平均升温速率3℃/min

10. 控温精度:RT室温-2000℃≤±5℃

11. 电源配置形式:与炉体集成式

12. 炉体形式:卧式前门出料

13. 炉内工作气份:真空或Ar、N2、NH₃等气体(微正压),真空置换;

 (100-7500pa范围自动恒压控制)

14. 温度均匀度:≤±3℃(恒温30min后评估);

15. 温度测量:多区钨套管钨铼热电偶测温

16. 温度控制:日本岛电FP23,PID智能化温控仪程序控制(控温精度:±0.1℃)和手动控制;

17. 保护方式:PLC+触摸屏+声光报警

18. 真空系统配置:2H-150滑阀泵

19. 真空测量:电阻+电容薄膜真空规管,测量范围 0-10-5 pa

20. 压升率:抽真空至5Pa,停泵30分钟后开始计时,每小时压升 10P

21. 冷态极限真空度:5Pa(在洁净、冷态、空炉状态下)

22. 空炉抽真空时间 30min(空炉,室温,参照GB/T10066.1-2004规定检测。)

23. 炉内最大压力 0.02Mpa

24. 质量流量计:北京七星华创

25. 冷却系统:所有循环水管道密闭性好,使用过程中无泄漏现象;

26. 电气控制:西门子PLC+台达15寸触摸屏,关键参数如真空度、温度、功率 可实时和历史查询,并可通过 U盘导出,并设置无纸记录仪

27. 关键器件采用进口材料,如控温仪表及测温仪等。

28. 开盖方式:手动

29. 物料进出方式:配置专用进出料车

30. 油漆颜色:主体乳白色,边框天蓝色,底座黑色


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